Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
平出 哲也; 岡 壽崇*
Journal of Physics; Conference Series, 443, p.012060_1 - 012060_4, 2013/06
被引用回数：6 パーセンタイル：89.51(Physics, Atomic, Molecular & Chemical)イオン液体は蒸気圧が非常に小さいなど、そのユニークな特性と環境に優しい材料であることから、いろいろな分野での利用が期待されており、原子力分野においても使用済燃料の再処理への利用が期待されている。この場合、放射線場での使用となり、放射線による影響評価が重要である。イオン化により形成された過剰電子の溶媒和はその後の過程に大きく影響し、微視的なスケールにおける分子運動が大きく関与すると考えられる。ポジトロニウム(電子と陽電子の結合状態)は液体中では負の仕事関数によりサブナノメートルのバブルを形成することが知られている。バブルは非常に短い時間(ピコ秒程度)で形成されると理解されてきたが、イオン液体中におけるバブルの形成過程を陽電子消滅寿命-運動量相関測定(AMOC)を利用することで、初めて観測することに成功した。本研究で、バブルの形成が100ピコ秒程度遅れて起こることが明らかとなり、異常に長かった一重項ポジトロニウムの自己消滅寿命を解決することができ、また、AMOCよりも簡便な陽電子消滅寿命測定から得られる情報でも分子運動性の評価が可能であることを示した。
河裾 厚男; 深谷 有喜; 前川 雅樹; 望月 出海; Zhang, H.
Journal of Physics; Conference Series, 443(1), p.012084_1 - 012084_4, 2013/06
被引用回数：3 パーセンタイル：78.21(Physics, Atomic, Molecular & Chemical)スピン偏極陽電子はスピントロニクス研究に有用である。われわれは、スピン偏極陽電子源を製造するとともに、それを用いたスピン偏極陽電子ビームの開発を行っている。スピン偏極陽電子消滅の基礎を構築するために、各種の強磁性体について陽電子消滅ドップラー拡がり測定を行ったところ、電子運動量分布が磁場反転効果を示すことが確認された。さらに、白金における電流誘起スピン蓄積効果を調べたところ、最表面において強いスピン蓄積が起こっていることを初めて見いだした。
深谷 有喜; 前川 雅樹; 望月 出海; 和田 健*; 兵頭 俊夫*; 河裾 厚男
Journal of Physics; Conference Series, 443(1), p.012068_1 - 012068_6, 2013/06
被引用回数：13 パーセンタイル：97(Physics, Atomic, Molecular & Chemical)結晶表面上に異種原子を吸着させることにより、バルク構造とは異なったさまざまな表面超構造を作製することが可能である。これらの表面超構造は、パイエルス不安定性、モット絶縁化、バイポーラロン形成、ラシュバ効果などさまざまな興味深い物性を示す。この物性を理解するには、表面超構造の原子配置の決定が最も基本的かつ重要なことである。反射高速陽電子回折(RHEPD)は、表面第一層で全反射が起こるため、表面敏感なツールである。最表面構造とその動的過程を調べるために、われわれは
Na線源を用いたRHEPD装置を開発した。最近、われわれは高エネルギー加速器研究機構(KEK)の低速陽電子施設において、リニアックにより発生した高強度陽電子ビームを利用した新しいRHEPD装置の開発に展開している。現在、これまで捉えることのできなかった表面超構造に由来する高次の回折スポットの観察に成功している。本発表では、これまでのRHEPD実験の成果と今後の発展について報告する。
前川 雅樹; 河裾 厚男
Journal of Physics; Conference Series, 443, p.012041_1 - 012041_4, 2013/06
被引用回数：0 パーセンタイル：0.21(Physics, Atomic, Molecular & Chemical)A complementary study of vacancy defects in Si substrates by using scanning positron microscope (SPM) and electron beam induced current (EBIC) method were demonstrated for the same samples and in the same chamber. Both the S parameter and EBIC contrast were found to be enhanced in the regions containing vacancy defects introduced by ion implantation. That is, the SPM provides a criterion if the spatially resolved carrier recombination centres by the EBIC method are originating from vacancy defects or not.
和田 健*; 兵頭 俊夫*; 小菅 隆*; 斉藤 裕樹*; 池田 光男*; 大澤 哲*; 設楽 哲夫*; 満汐 孝治*; 立花 隆行*; 長嶋 泰之*; et al.
no journal, ,
本講演では、高エネルギー加速器研究機構(KEK)物質構造科学研究所(IMSS)低速陽電子実験施設の最近の進展について報告する。本実験施設は、専用LINAC(55MeV)を有し、高強度のパルス低速陽電子ビームを供している。エネルギー可変(最大35keV)である低速陽電子ビームは、グランド電位のビームラインを磁場輸送され、コンパクトな分岐ユニットを用いて実験ホールに振り分けられる。現在、約100台のコイル電源を制御するために、プログラマブルロジックコントローラ(PLC)を用いたパソコンによる一括操作システムを導入中である。ビームラインの真空度は、1-5
10
Paである。本実験施設は、KEKの放射光共同利用実験審査委員会(PF-PAC)の承認を受けたユーザーに開放されている。最近、低速陽電子の発生部であるコンバータ/モデレータアセンブリを改良し、ビーム強度が一桁(ロングパルスモードで
e
/sec)増大した。この増強された低速陽電子ビームを用いて、ポジトロニウム負イオン(Ps
)の光脱離、反射高速陽電子回折(RHEPD)、ポジトロニウム飛行時間(Ps-TOF)の3つの実験が現在進行中である。
